ALLEGRO ማይክሮ ሲስተሞች APEK85110-D1-E የግማሽ ድልድይ ሹፌር መቀየሪያ ቦርድ ተጠቃሚ መመሪያ
መግለጫ
Allegro APEK85110-D1-E Half-Bridge Driver Switch Board ሁለት AHV85110 GaN FET ሾፌሮችን እና ሁለት GaN FETዎችን በግማሽ ድልድይ ውቅር የያዘ ማሳያ ሰሌዳ ነው።
APEK85110 ድርብ pulse ሙከራዎችን (Double Pulse Test ክፍልን ይመልከቱ) ወይም የግማሽ ድልድዩን ከዚህ በታች እንደሚታየው አሁን ካለው የ LC ሃይል ክፍል ጋር ለመገናኘት ሊያገለግል ይችላል።
የነጠላው AHV85110 ሾፌር ሁለተኛ-ጎን ሃይል ወይም ቡትስትራፕ ክፍሎችን አይፈልግም። የጌት ድራይቭ ሃይል ከዋናው-ጎን አቅርቦት ቮልት ወደ ሁለተኛ ደረጃ ይቀርባልtagሠ፣ ቪዲአርቪ የ ampየበር አንፃፊው በVDRV በ7 እና 15 ቮ መካከል ባለው ልዩነት ሊለያይ ይችላል።
አደጋ
ቦርዱን ኃይል ሲይዝ አይንኩ እና ሁሉም አካላት ቦርዱን ከመያዙ በፊት ሙሉ በሙሉ እንዲለቁ ይፍቀዱላቸው።
ከፍተኛ ድምጽTAGE ከኃይል ምንጭ ጋር ሲገናኝ በቦርዱ ላይ ሊጋለጥ ይችላል። በቀዶ ጥገና ወቅት አጭር ግንኙነት እንኳን ወደ ከባድ ጉዳት ወይም ሞት ሊመራ ይችላል።
ተገቢውን የደህንነት ሂደቶች መከተላቸውን ያረጋግጡ. ይህ የግምገማ ኪት ቁጥጥር ባለው የላቦራቶሪ አካባቢ ውስጥ ለኢንጂነሪንግ ምዘና የተነደፈ ነው እናም መስተናገድ ያለበት ብቃት ባላቸው ባለሙያዎች ብቻ ነው። ቦርዱ ያለ ክትትል እንዲሰራ በጭራሽ አይተዉት።
ማስጠንቀቂያ
አንዳንድ ክፍሎች በሚሠሩበት ጊዜ እና በኋላ ሞቃት ሊሆኑ ይችላሉ. በዚህ የግምገማ ኪት ላይ አብሮ የተሰራ የኤሌክትሪክ ወይም የሙቀት መከላከያ የለም። የክወና ጥራዝtagየመሳሪያውን ጉዳት ለመከላከል ሠ፣ የአሁን እና የአካላት የሙቀት መጠን በቅርበት ክትትል ሊደረግበት ይገባል።
ጥንቃቄ
ይህ ምርት በኤሌክትሮስታቲክ ፍሳሽ (ኢኤስዲ) ጉዳት ሊደርስባቸው የሚችሉ ክፍሎችን ይዟል. ምርቱን በሚይዙበት ጊዜ ሁልጊዜ የ ESD መከላከያ ሂደቶችን ይከተሉ።
ፈጣን ጅምር መመሪያ
- VDRV = 12 V ተግብር
- ማገናኛ ፒን EN_PU እና EN (ውጫዊ ካልተጠቀሙ መቆጣጠሪያ አንቃ)
- የግቤት መግቢያ ምልክቶችን በበቂ የሞተ ጊዜ ወደ IN_L እና IN_H ግብዓቶች ተግብር።
- ከላይ እንደሚታየው ምቹ የፈተና ነጥቦች በሙከራ ሰሌዳ ላይ ይገኛሉ. ከ VGH ወደ VSW ከፍተኛ ጎን ያለውን የበር ምልክት ለመከታተል ተስማሚ የሆነ ልዩነት oscilloscope መጠቀም ያስፈልጋል።
በር የሚጎትቱ እና የሚጎትቱ-ወደታች ተቃዋሚዎች
የ AHV85110 በር ሹፌር የበራ እና መጥፋት የመነሳት እና የመውደቂያ ጊዜዎችን ለመቆጣጠር የሚያስችል ለበሩ መጎተት እና መጎተቱ ገለልተኛ ውጤቶች አሉት።
የእነዚህ ተቃዋሚዎች ነባሪ እሴቶች የሚከተሉት ናቸው
- OUTPU: R1 እና R5 = 10 Ω
- OUTPD: R3 እና R7 = 1 Ω
እነዚህ እሴቶች ከመተግበሪያው ጋር በሚስማማ መልኩ ሊሻሻሉ ይችላሉ።
አንቃ እና ቅደም ተከተል አስጀምር
AHV85110 የስርዓት ደረጃ ባለገመድ-እና ጅምርን ለማመቻቸት ክፍት-ፍሳሽ አንቃ ፒን (EN) አለው።
AHV85110 የስርዓት ደረጃ ባለገመድ-እና ጅምርን ለማመቻቸት ክፍት-ፍሳሽ አንቃ ፒን (EN) አለው።
የነቃው ፒን ከውጭ ሲጎተት፣ ነጂው ዝቅተኛ ኃይል ወዳለው ሁነታ ይገደዳል። በዚህ ሁነታ የአሽከርካሪው ውጤት ዝቅተኛ ነው.
እንደ UVLO ያለ የውስጣዊ ብልሽት ሁኔታ ሲከሰት ይህ ፒን በሾፌሩ በንቃት ይሳባል። በተለመደው ቀዶ ጥገና ወቅት, ፒኑ በሾፌሩ ይለቀቃል, እና ከውጭ የሚጎትት-ከፍተኛ መከላከያ ጋር ወደ ላይ መጎተት አለበት. ይህ ተግባር IN pulses ወደ ሾፌሩ መላክ እንደሚጀምር ለማመልከት በPWM መቆጣጠሪያ ሊጠቀም ይችላል። በስእል 3 ላይ እንደሚታየው ከመቆጣጠሪያው አንቃ ፒን ጋር በተለምዶ በገመድ የተገጠመ ነው።
የAPEK85110 የግምገማ ቦርድ በአገናኝ CONN1 ላይ ያለውን EN ፒን በቀጥታ ማግኘት ይችላል። በውስጥ ቦርዱ ከVDRV ወደ EN_PU ፒን አያያዥ CONN100 የተገናኘ 1 kΩ የሚጎትት አፕ ተከላካይ ይዟል - በስእል 12 ላይ ያለውን እቅድ ተመልከት። የነቃ ተግባርን የውጭ ቁጥጥር ካላስፈለገ ፒን EN እና EN_PU በ CONN1 ላይ መያያዝ አለባቸው። ነጂውን ለማንቃት የውስጥ 100 kΩ ፑል አፕ ተከላካይ ይጠቀሙ። የ EN ፒን ተንሳፋፊ ከሆነ፣ አሽከርካሪዎቹ ለ INL ወይም INH ግብዓት ምልክቶች ምላሽ አይሰጡም።
The start up sequence of the AHV85110 is shown in Figure 4. Time tSTART is defined as the time after which VDRV reaches the UVLO rising level to the AHV85110 releasing the EN internal pull down.
አስፈላጊ፡- የ IN ሲግናል EN ፒን ከመውጣቱ በፊት መተግበር የለበትም።
የመለኪያ ነጥቦች
የAPEK85110 የግምገማ ሰሌዳ ከፍተኛ እና ዝቅተኛ የጎን በር ተሽከርካሪዎችን እንዲሁም የመቀየሪያ መስቀለኛ መንገድን ለመቆጣጠር ምቹ የሙከራ ነጥቦችን በስእል 5 ይዟል።
VGS_Hን በሚለኩበት ጊዜ፣ ለተተገበረው የአውቶቡስ ቮልtagሠ. የAPEK85110 የግምገማ ሰሌዳ በስእል 6 እንደሚታየው ባይፖላር ጌት ድራይቭ ዝግጅትን ይጠቀማል። VGS ሲለኩ ሁለቱም የጌት ድራይቮች የሚለኩት ከተያያዙት GaN FET ምንጭ አንጻር ነው። ስለዚህ, ከስቴት ውጪ ቮልtagኢ አሉታዊ ይሆናል.
አስመሳይ የመቀያየር ጫጫታ እንዳይነሳ ለማድረግ እንደሚታየው ዝቅተኛ የኢንደክሽን ስፋት መፈተሻ መሬት እርሳስ መጠቀም አስፈላጊ ነው።
ባይፖላር በር ድራይቭ
በከፍተኛ የቮልቴጅ ለውጥ ምክንያትtages እና currents በኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች፣ የማይፈለጉ የኢንደክተር ሞገዶች እና capacitor voltage ጠብታዎች ሊፈጠሩ ይችላሉ.
አንዱ እንደዚህ ያለ የቀድሞample በዲቪ/ዲቲ ክስተት ምክንያት የFET የውሸት ማብራት ነው። በግማሽ ድልድይ ወረዳ ውስጥ ዝቅተኛ-ጎን FET ከጠፋ እና ተስማሚ የሞተ ጊዜ ካለፈ በኋላ ከፍተኛ-ጎን FET በርቷል። ይህ በፍጥነት የሚቀያየር የመቀየሪያ ኖድ ቮልት ይፈጥራልtagሠ ዝቅተኛ-ጎን FET ያለውን ፍሳሽ ላይ. ይህ ጥራዝtage capacitor current ይፈጥራል፣
iCGD = CGD × (dVDS_L / dt)
በበር-ፍሳሽ አቅም, በሲጂዲ እና በአሽከርካሪ ውፅዓት ውስጥ የሚፈስ. ቮልዩን ያስከትላልtage ዝቅተኛ-ጎን FET ወደ ላይ ከፍ ለማድረግ. ይህ ጥራዝ ከሆነtagሠ spike ጫፎች ከገደቡ በላይtagሠ፣ VTH፣ FET ያካሂዳል። ከፍተኛ ጎን ያለው ኤፍኢቲም እያካሄደ መሆኑን ከግምት ውስጥ በማስገባት ይህ ወደ አጥፊ የተኩስ ክስተት ሊያስከትል ይችላል።
የAPEK85110 የግምገማ ቦርዱ የበር-ፍሳሽ የኃይል ማመንጫ ሞገዶችን ተፅእኖ ለመከላከል የሚጠቅም ባይፖላር በር ድራይቭ ዝግጅትን ይጠቀማል። የሁለተኛ ደረጃ አቅርቦት ጥራዝtage፣ VSEC፣ የዋናው አቅርቦት ጥራዝ ተግባር ነው።tagሠ፣ ቪዲአርቪ የ zener diode, CR1, አወንታዊውን የማብራት ጥራዝ ይቆጣጠራልtagሠ የ GaN FET. በጊዜ ማጥፋት ወቅት, የበሩን ቮልtagሠ ከሚከተለው እሴት ጋር አሉታዊ ይሆናል፦
VGS_OFF = VSEC - VZENER. VSEC በተለምዶ 9 ቪ ነው።
ይህ አሉታዊ VGS_OFF ጥራዝtagሠ ከገደቡ ጥራዝ በፊት ተጨማሪ ህዳግ ይፈቅዳልtage ሊደረስበት ይችላል.
የማባዛት መዘግየት
- VDRV = 12 ቮ
- ግቤት = 100 kHz
- RPU = 10 Ω, RPD = 1 Ω
- የሃይል ባቡር አልተጫነም ማለትም VHV+ = 0 V.
ድርብ ምት ሙከራ
ቲዎሪ
የ double pulse ሙከራ የሃይል ማብሪያ / ማጥፊያውን በሃርድ ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / / /ውና /ውና ቤቱን / ቤቱቤቱን /ውን ደህንነቱ በተጠበቀ.
ለዝቅተኛ-ጎን መቀየሪያ፣ ማዋቀሩ ከዚህ በታች እንደሚታየው ነው።
ዝቅተኛ-ጎን ማብሪያው ከታች እንደሚታየው በሁለት ጥራዞች ይንቀሳቀሳል. የከፍተኛ ጎን ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማጥፊያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማብሪያ / ማጥፊያ.
ኢንዳክተር ከከፍተኛ ጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ጋር በትይዩ ተቀምጧል። የዚህ ኢንዳክተር ግብ በ pulse (1) ላይ የመጀመሪያው መጨረሻ ላይ ባለው ዝቅተኛ-ጎን ማብሪያ / ማጥፊያ ውስጥ የፍተሻ ደረጃ አሁኑን ማቋቋም ነው። በክፍለ-ጊዜ 1 መጨረሻ ላይ ያለው የፍተሻ ደረጃ የአሁኑ መጠን በ
IL = (VBUS × toON_1) / ኤል
በ2ኛው ክፍለ ጊዜ የኢንደክተሩ ጅረት በተፈጥሮው ይበሰብሳል። የወቅቱ 2 ቆይታ በጣም ረጅም መሆን የለበትም የኢንደክተሩ ጅረት ከሚፈለገው የፈተና ደረጃ በእጅጉ የሚያፈነግጥ ነው።
በ3ኛው ክፍለ ጊዜ የኢንደክተሩ ጅረት እንደገና ይነሳል። ጊዜ 3 በጣም ረጅም መሆን የለበትም የኢንደክተሩ ጅረት ከመጠን በላይ ወደ ላይ ይወጣል።
የ pulse 1 መውደቅ ጠርዝ የመቀየሪያውን ጠንካራ የማጥፋት ባህሪያትን ለመመርመር ይጠቅማል። እየጨመረ ያለው የ pulse 3 ጠርዝ የመቀየሪያውን ጠንካራ የማብራት ባህሪያትን ለመመርመር ይጠቅማል። እነዚህን ሁለት ጥራጥሬዎች ብቻ በመተግበር, ማብሪያዎቹ በጣም ለአጭር ጊዜ ብቻ ናቸው እና ከመጠን በላይ መሞቅ የለባቸውም.
የፈተና ውጤቶች
| አካላት | |
| አሽከርካሪዎች፡- | Allegro AHV85110 |
| ኢንዳክተር፡ | 49 µH፣ 360 mΩ ኤር ኮር |
| RPU: | 10 Ω |
| RPD: | 1 Ω |
DPT ውጤት 100 ቮ፣ 15 አ
DPT ውጤት 400V - 62A
APEK85110 SCHEMATIC
PCB አቀማመጥ
APEK85110 የግማሽ ድልድይ ሹፌር ማብሪያ ቦርድ የቁሳቁሶች ቢል
ሠንጠረዥ 1፡ የቁሳቁስ ቢል
| ንጥል | የማጣቀሻ ስም | መግለጫ | ዋጋ | ብዛት | አምራች | አምራች ፒኤን |
| 1 | C1፣ C2 | ካፕ CERALINK፣ 1 µF፣ 500 V PLZT | 1 µኤፍ | 2 | TDK | B58031U5105M062 |
| 2 | C14፣ C15፣ C16፣ C17 | ካፕ፣ CER፣100 nF፣16 V፣ X7R፣ S0402 | 100 ናፍ | 4 | KEMET | C0402C104K4RALTU |
| 3 | C3፣ C4 | CAP፣ CER፣ 75 pF፣ 50 V፣ NP0፣ S0402 | 75 ፒኤፍ | 2 | KEMET | C0402C750J5GACTU |
| 4 | C6፣ C13 | ካፕ፣ CER፣1 µF፣ 25V፣ X5R፣ S0402 | 1 µኤፍ | 2 | MURATA | GRM155R61E105KA12D |
| 3 | CONN1 | ራስጌ፣ 6 መንገድ፣ 2.54 ሚሜ | 6ዌይ፣ 2P54 | 1 | ወርድ | 61300611121 |
| 6 | CR1፣ CR2 | DIO ZEN, 6V2, 250mW, 2%, SOD882 | BZX884-C6V2 | 2 | NEXPERIA | BZX884-B6V2,315 |
| 7 | IC1፣ IC2 | GaN FET ሾፌር | AHV85110 | 2 | ሃይዴይ አይ.ሲ | HEY1011-L12 |
| 8 | Q1፣ Q2 | NGAN GS-065-060-3-ቢ 650V 60A | GS-065-060-3-ቢ | 2 | ጋን ሲስተሞች | GS-065-060-3-ቢ |
| 9 | R1, R5 | RES፣ SMD፣ 10R፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 10 Ω | 2 | ቪስታ | CRCW040210R0FKED |
| 10 | R11, R13 | RES፣ SMD፣ 3K6፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 3.6 ኪ.ሜ. | 2 | ፓናሶኒክ | ERJ2RKF3601X |
| 11 | R2 | RES፣ SMD፣ 100K፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 100 ኪ.ሜ. | 1 | ፓናሶኒክ | ERJ2GEJ104X |
| 12 | R3, R7 | RES፣ SMD፣ 1R0፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 1 Ω | 2 | ቪስታ | CRCW04021R00FKED |
| 13 | R4, R8 | RES፣ SMD፣ 0R0፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 0 Ω | 2 | ቪስታ | RCG04020000Z0ED |
| 14 | R6, R9 | RES፣ SMD፣ 49R9፣ 0.063W፣ 1%፣ S0402 | 49.9 Ω | 2 | ቪስታ | CRCW040249R9FKED |
የክለሳ ታሪክ
| ቁጥር | ቀን | መግለጫ |
| – | ኦገስት 30፣ 2022 | የመጀመሪያ ልቀት |
የቅጂ መብት 2022፣ Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems የምርቶቹን አፈጻጸም፣ አስተማማኝነት ወይም የማምረት አቅም ላይ ማሻሻያ ለማድረግ የሚያስፈልጉትን ዝርዝር መግለጫዎች ከጊዜ ወደ ጊዜ የመውጣት መብቱ የተጠበቀ ነው። ማዘዙን ከማስገባቱ በፊት ተጠቃሚው እየተመረኮዘ ያለው መረጃ ወቅታዊ መሆኑን እንዲያረጋግጥ ማስጠንቀቂያ ተሰጥቶታል።
የአሌግሮ ምርቶች በማናቸውም መሳሪያዎች ወይም ስርዓቶች ውስጥ ጥቅም ላይ መዋል የለባቸውም, ይህም የህይወት ድጋፍ መሳሪያዎችን ወይም ስርዓቶችን ጨምሮ, ግን ያልተገደበ,
የአሌግሮ ምርት በተመጣጣኝ ሁኔታ በሰውነት ላይ ጉዳት ያደርሳል ተብሎ ይጠበቃል።
በዚህ ውስጥ የተካተተው መረጃ ትክክለኛ እና አስተማማኝ ነው ተብሎ ይታመናል. ይሁን እንጂ Allegro MicroSystems አጠቃቀሙን ምንም ኃላፊነት አይወስድም; ወይም ማንኛውም የፈጠራ ባለቤትነት ወይም ሌሎች የሶስተኛ ወገኖች መብቶች መጣስ ምክንያት አጠቃቀሙ ምክንያት ሊሆን ይችላል.
የዚህ ሰነድ ቅጂዎች ቁጥጥር የማይደረግባቸው ሰነዶች ይቆጠራሉ።
የዚህን ሰነድ የቅርብ ጊዜ ስሪት ለማግኘት የእኛን ይጎብኙ webጣቢያ፡
www.allegromicro.com
የቅድሚያ መረጃ
ያለ ማስታወቂያ የሚቀየር ጉዳይ
ኦገስት 30፣ 2022
Allegro MicroSystems
955 ፔሪሜትር መንገድ
ማንቸስተር, NH 03103-3353 ዩናይትድ ስቴትስ
www.allegromicro.com
ሰነዶች / መርጃዎች
 |
ALLEGRO ማይክሮ ሲስተሞች APEK85110-D1-E የግማሽ ድልድይ ሹፌር መቀየሪያ ቦርድ [pdf] የተጠቃሚ መመሪያ APEK85110-D1-E የግማሽ ድልድይ ሾፌር መቀየሪያ ቦርድ፣APEK85110-D1-E፣የግማሽ ድልድይ ሾፌር ማብሪያ ቦርድ |
